Samsung Electronics prevê que HBM representará quase 30% da capacidade de wafers de DRAM no próximo ano

O vice-presidente executivo da Samsung Electronics, Kim Taewoo, prevê que no próximo ano o HBM representará quase 30% da capacidade total de wafers de DRAM dos fabricantes, sendo que atualmente essa proporção é de cerca de 20%. Ele apontou que o HBM e o DRAM tradicional competem pela mesma capacidade de wafers, e a expansão da produção de HBM pode pressionar a oferta de DRAM tradicional. A TrendForce prevê que até o final de 2027, os três principais fornecedores de HBM do mundo terão um investimento em wafers de HBM que representará 30% do total de investimentos em wafers de DRAM, mas, em termos de capacidade de armazenamento, isso contribuirá com apenas cerca de 13% do total de oferta de DRAM. A Samsung começou a produção em massa do HBM4 em fevereiro deste ano e, em maio, forneceu amostras de HBM4E de 12 camadas a clientes, incluindo a Nvidia. Espera-se que a quantidade média mensal de wafers de HBM da Samsung aumente de cerca de 180.000 este ano para cerca de 250.000 no próximo ano. A TrendForce também afirmou que a demanda por servidores de IA continua, e o HBM e o DRAM genérico compartilharão uma capacidade de processo avançada limitada. Em 2027, a oferta de armazenamento deverá permanecer apertada, e as expectativas de preço para o HBM em 2027 foram elevadas, prevendo-se um aumento de 121% no preço médio misto em relação ao ano anterior. Devido à oferta limitada e ao aumento dos custos do sistema, espera-se que o HBM de 8 camadas se torne uma solução priorizada por várias empresas em 2027, com um preço por Gb cerca de 10% a 20% superior ao dos produtos de 12 camadas.

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