A Samsung desenvolve HBM4E de 8 camadas para atender aos requisitos da NVIDIA

A Samsung Electronics está a desenvolver produtos HBM4E de 8 camadas para atender aos requisitos da NVIDIA, destinados a memórias de alta largura de banda personalizadas, NVHBM. Esta solução reduz o número de camadas empilhadas em comparação com os produtos de 12 e 16 camadas que estavam inicialmente previstos, com a NVIDIA a estabelecer uma velocidade alvo de 17 a 18 Gbps, um aumento de cerca de 20% em relação aos 14,4 Gbps dos primeiros protótipos. A adoção de um design de 8 camadas pode reduzir a dificuldade de desbaste de wafers, empilhamento preciso e embalagem de backend, aliviando a pressão sobre a taxa de rendimento e aumentando a capacidade de fornecimento. Espera-se que o NVHBM comece a ser aplicado com a GPU Rubin Ultra AI, que será lançada no próximo ano, e a interconexão da GPU Rubin Ultra será expandida de 72 chips existentes para até 576 chips, permitindo que mais GPUs de alta velocidade colaborem para compensar a diminuição da capacidade de armazenamento de uma única GPU. A Samsung possui capacidades de design e produção de DRAM, chips lógicos e chips bare, podendo oferecer um serviço completo para HBM personalizado. Especialistas da indústria acreditam que a Samsung demonstrou altas velocidades de transmissão no HBM4, e à medida que a NVIDIA muda o foco da competição para transmissões de alta velocidade, suas capacidades relacionadas podem receber mais atenção.

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