SanDisk công bố dự báo nhu cầu NAND 75-100EB vào năm 2027

SanDisk cho biết vào năm 2027, sẽ có nhu cầu bổ sung 75-100 exabyte (EB) NAND do bộ nhớ KV trong quá trình suy luận trí tuệ nhân tạo (AI). Bộ nhớ KV là dữ liệu trung gian mà các mô hình ngôn ngữ lớn (LLM) sử dụng để lưu trữ ngữ cảnh, và tình huống hiện tại cho thấy chỉ với bộ nhớ băng thông cao (HBM) của GPU là không đủ để xử lý. SanDisk dự đoán rằng vào năm 2030, 35% khối lượng công việc NAND của trung tâm dữ liệu AI sẽ đến từ bộ nhớ KV. Bộ nhớ KV có ảnh hưởng trực tiếp đến chi phí suy luận AI và tốc độ phản hồi, và công ty cho rằng cần có sự thay đổi trong cách lưu trữ dữ liệu. SanDisk đã đề cập rằng nhu cầu bộ nhớ KV sẽ tăng gấp đôi vào năm 2028 trong báo cáo kết quả vào ngày 29 tháng 1 năm 2026. Ngoài ra, vào ngày 2 tháng 7 năm 2026, SanDisk đã công bố mẫu NAND 3D TLC 1Tb BiCS10, cho biết sản phẩm này đáp ứng nhu cầu của trung tâm dữ liệu AI. SanDisk và SK Hynix đã ký biên bản ghi nhớ vào ngày 6 tháng 8 năm 2025 để chuẩn hóa Flash băng thông cao (HBF), với HBF dự kiến sẽ cung cấp băng thông tương tự như HBM. SanDisk đặt mục tiêu ra mắt mẫu HBF đầu tiên vào nửa cuối năm 2026 và mẫu thiết bị suy luận AI vào đầu năm 2027.

Nội dung này chỉ được đưa ra nhằm mục đích cung cấp thông tin chung, không phải là lời khuyên về tài chính, đầu tư, pháp lý hoặc thuế. Mọi sự kiện, phần thưởng, ưu đãi trực tuyến hoặc thông tin liên quan được đề cập trong nội dung này không được xem là khuyến nghị, chào mời hoặc lời mời mua, bán, giao dịch hoặc thực hiện bất kỳ hoạt động nào khác liên quan đến tài sản crypto. Tài sản crypto có độ biến động cao và có thể dẫn đến thua lỗ.Tính khả dụng của các dịch vụ, sản phẩm và sự kiện liên quan của WEEX có thể khác nhau tùy theo khu vực. Bạn có trách nhiệm bảo đảm việc tham gia của mình tuân thủ các luật và quy định hiện hành tại địa phương.