Samsung Electronics prevé que el HBM representará casi el 30% de la capacidad de producción de obleas DRAM el próximo año

El vicepresidente ejecutivo de Samsung Electronics, Kim Taewoo, prevé que el HBM representará casi el 30% de la capacidad total de producción de obleas de los fabricantes de DRAM el próximo año, mientras que actualmente esta proporción es de aproximadamente el 20%. Señaló que el HBM compite por la misma capacidad de obleas que el DRAM tradicional, y un aumento en la producción de HBM podría presionar la oferta de DRAM tradicional. TrendForce pronostica que a finales de 2027, la inversión en obleas HBM de los tres principales proveedores de HBM a nivel mundial representará el 30% de la inversión total en obleas DRAM, aunque en términos de capacidad de almacenamiento solo podrá contribuir aproximadamente con el 13% del suministro total de DRAM. Samsung comenzó la producción en masa de HBM4 en febrero de este año y en mayo proporcionó muestras de HBM4E de 12 capas a clientes, incluidos Nvidia. Se espera que la cantidad mensual de obleas HBM de Samsung aumente de aproximadamente 180,000 obleas este año a aproximadamente 250,000 obleas el próximo año. TrendForce también indicó que la demanda de servidores de IA sigue en aumento, y el HBM y el DRAM convencional compartirán una capacidad de proceso avanzada limitada. Se espera que el suministro de almacenamiento se mantenga ajustado hasta 2027, y se ha elevado la expectativa de precios para el HBM en 2027, con un aumento previsto del precio medio ponderado del 121% en comparación con el año anterior. Debido a la oferta limitada y al aumento de los costos del sistema, se espera que el HBM de 8 capas se convierta en una opción prioritaria para varias empresas en 2027, con un precio por Gb que será aproximadamente un 10% a un 20% más alto que el de los productos de 12 capas.

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